RTのテスラ・モデル３用インバータの制御系＋ゲートドライブ回路基板
RTのプリチャージ抵抗群の上にはシリコン系の柔らかい樹脂が貼り付けられている
これは全ての機構を１枚基板化したことによる振動の問題を、真ん中のこのプリチャージ抵抗部を対向する減速機のアルミダイカストへ押し当てることにより耐振性能確保
インバータのみに留まらない上手いシステム設計を実現している
23.02.2024 09:36 — 👍 0 🔁 0 💬 0 📌 0
次回の沖縄空手研究会の定例稽古は以下を予定しております。
３月１０日（日）１３：００〜１４：３０
場所：宝珠院（名古屋市昭和区伊勝町２丁目９）
参加費：会場代に１人５００円だけ頂きます
下記動画は、沖縄拳法の背中の鍛えの稽古動画と、その後のオマケの会員による新聞抜きのデモンストレーションの様子です。
握りによる重心移動を身体が覚えることで、この動画の様に女性でも子供でも、簡単に新聞抜きができるようになります。
稽古参加、いつでも受け付けておりますのでお気軽にご参加くださいませ。
www.youtube.com/watch?v=F8WA...
23.02.2024 09:19 — 👍 1 🔁 0 💬 0 📌 0
RTのテスラ・モデル３用インバータの制御系＋ゲートドライブ回路基板
全ての機能をPCB基板に１枚基板化
形状は米国国旗に寄せている
最初に投稿した写真は真ん中にピンク色のシリコン樹脂が貼ってあるが、それを外すとプリチャージ抵抗器がズラッと並んでいる
KOA社製
その下に各SiCパワー半導体用ゲートドライブ回路が実装されている
絶縁トランスも１つのみ
信じられないくらいシンプルな設計
22.02.2024 00:09 — 👍 3 🔁 1 💬 0 📌 1
RTのテスラ・モデル３用インバータに実装されているSiCパワー半導体のモジュールを削ってみたところ
実際には4.4✕4.8mmのSiC MOS-FETが２つ並んで実装されている
モジュール内の全ての配線は銅配線でSiCパワー半導体の基板への実装は銀焼結接合を適用
15μmの厚みでの銀焼結を24個のパワー半導体全てに均等に実装する技術ハードルを超えた凄まじい次世代型インバータと言える
20.02.2024 11:50 — 👍 3 🔁 1 💬 0 📌 1
RTのテスラ・モデル３用インバータに実装されているSiCパワー半導体実装部の裏面の冷却器のピン構造
従来は通常の円柱状の丸ピンだが、テスラは流線形の舟形ピンを採用
冷却水の圧力損失低下並びに放熱効率の向上を目的として、この形状採用に踏み切ったと予測
非常に面白い工学的挑戦であり、パワー半導体の冷却に研究開発にリソースを割かれ始めたエポックメイキングとなる製品
17.02.2024 04:54 — 👍 1 🔁 0 💬 0 📌 1
RTのテスラ・モデル３用インバータに実装されているSiCパワー半導体モジュール露出部
このSTマイクロ製の黒いモジュールが２４個並ぶ
SiCパワー半導体は発熱のバラつきの懸念があるが、その上に実装された銅平板にて熱分散させることで対策
パワー半導体の裏面部の実装も銀焼結法を採用して高放熱性能を確保
放熱用の放熱ピンの特殊構造については後述
12.02.2024 12:26 — 👍 2 🔁 0 💬 0 📌 1
RTのテスラ・モデル３用インバータの最上部にある制御系＋ゲートドライブ基板を取り外すとインバータのパワー系回路が露出する
画面上部から直流電圧が入力され下部の３つの配線から三相交流電流を出力
画面上部の黒い部品は平滑キャパシタ
下部の銅平板の下にSiCパワー半導体が実装されている
各部配線はボルトを使わずレーザー溶接で接合
電気自動車用インバータとしてはエポックメイキングな設計となっている
10.02.2024 12:50 — 👍 0 🔁 0 💬 0 📌 1
本SNSでの初投稿はテスラ・モデル３用インバータ
STマイクロ製の炭化シリコン（SiC）パワー半導体を適用し、この薄さで200kWの出力を絞り出す
2017年リリースのモデル３に搭載されたこのインバータはテスラ内で多く流用され、現在はモデルYにも同じものが適用されている
良いものを多く作って低コスト化を狙うビジネスの見本の様なテスラの戦略
10.02.2024 05:37 — 👍 3 🔁 0 💬 0 📌 1
